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半導体構造部品専用窒化ホウ素セラミックス
半導体セラミックスとは、半導体の特性を持ち、電気伝導率が約10⁻⁶~10⁵S/mのセラミックスのことです。
キーワード:
半導体構造部品専用窒化ホウ素セラミックス
所属分類Category:
半導体用窒化ホウ素セラミックス部品

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製品詳細Description
半導体セラミックスとは、半導体の特性を持ち、導電率が約10 -6 ~10 5 S/m程度のセラミックスです。半導体セラミックスの導電率は、外部条件(温度、光照射、電場、雰囲気、温度など)の変化によって著しく変化するため、外部環境の物理量変化を電気信号に変換し、様々な用途のセンサ素子を作ることができます。
製品用途

半導体坩堝
半導体製造という、高度な精密さと材料純度の厳格な要求が求められる分野において、窒化ホウ素セラミックス坩堝は非常に重要な役割を果たしています。半導体材料は溶融過程において、坩堝の高温耐性、化学的安定性、純度に対して非常に高い要求があります。窒化ホウ素セラミックス坩堝は優れた高温特性を備えており、半導体材料の溶融時の高温環境下でも変形や分解を起こさずに、溶融を円滑に進めることができます。
拡散阻止層
半導体製造の複雑な工程において、不純物の拡散制御は非常に重要です。窒化ホウ素セラミックスは、その独自の結晶構造と化学的性質により、理想的な拡散阻止層材料となっています。高温工程において、緻密で安定した阻止層を形成し、特定の不純物が半導体デバイスの重要な領域に拡散するのを正確に阻止し、不純物拡散によるデバイス性能の劣化を防ぎます。


絶縁層
半導体デバイスの動作は、高温、高真空などの極限的な動作条件に直面することが多く、絶縁材料には非常に高い要求が課せられます。窒化ホウ素セラミックスは、その優れた電気絶縁性能で際立っています。高温環境下でも、内部の電子構造は安定しており、電流の漏れを効果的に阻止し、デバイスの正常な動作を保証します。
高性能窒化ホウ素系半導体材料
半導体技術が高度化・微細化に向けて発展するにつれて、新型半導体材料の需要が高まっています。窒化ホウ素セラミックスは、高性能窒化ホウ素系半導体材料を製造するための重要な基盤を提供します。例えば、窒化ホウ素ナノワイヤは、特殊な製造プロセスを通じて窒化ホウ素セラミックスから製造され、独特な電気的、光学的、機械的特性を持つナノワイヤ構造を実現できます。

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